以CW Ar 激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40 μm2,杂质分布均匀,电学性能大大改善......

以CW Ar~+激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40μm~2,杂质分布均匀,电学性能大......